中国深圳2025年9月8日第23届讯石光通信大会(IFOC 2025)在深圳会展中心洲际酒店召开,吸引了来自全球的专家、企业代表及研究人员参会。作为光通信领域技术与市场交流的平台,本届大会聚焦于人工智能驱动应用兴起背景下光电子技术的演进。
来自杭州泽达半导体(Zetta Semiconductor)的研发总监K-H Huang博士发表了题为《磷化铟基光子学技术在光纤通信中的演进》的主题演讲。他在演讲中全面概述了磷化铟(InP)光子学技术,并阐述了其在塑造高速光网络未来发展中的核心作用。
K-H Huang博士回顾了磷化铟基光子学的发展起源:1963年光纤通信技术首次得到验证,随后长波长低损耗传输技术及磷化铟基激光器相继问世。他指出,磷化铟具有直接带隙、高电子迁移率及出色的晶格匹配度等特性,这些都是有源器件创新的关键要素,且六十多年来其实用性已得到充分验证。K-H Huang博士强调了磷化铟基光子学技术的延展性,并表示该技术仍将在单波200Gbps/400Gbps数据中心及相干光通信领域的发展中扮演重要的角色。
波段和当前产品介绍
关于Inp的介绍
作为国内集成器件制造商(IDM),泽达半导体凭借其在磷化铟(InP)技术领域的深厚积累,打造了一套从芯片设计、外延生长、芯片制造到封装测试的垂直整合生产生态系统。这种全流程技术能力,使公司能够推出多元化的高性能光芯片产品组合,可精准适配各类应用场景。对此,K-H Huang博士表示,自主掌控芯片制造全流程,不仅能确保工艺的稳定性与可控性,还能提升产品的可靠性与一致性,这对于为客户提供长期、稳定的供应链至关重要。
IDM模式
泽达半导体的核心产品线包括: 100Gbps/200Gbps PAM4 电吸收调制激光器(EML),以及连续波分布反馈激光器(CW-DFB)、增益芯片Gain chip及半导体光放大芯片SOA。其中,100G PAM4 EML 已进入量产阶段,主要面向数据中心与AI智算;同时,200G PAM4 EML正积极推进市场化,以满足下一代高带宽应用的需求。K-H Huang博士还分享了公司产品及目标应用场景的深度见解,并着重提及目前正在开展的 EML-SOA 集成技术与高功率 CW-DFB技术研发工作,这些研发举措旨在突破当前的性能瓶颈,实现高端光芯片国产自主可控。
泽达产品线及目标应用场景
K-H Huang博士还从战略层面指出并强调,磷化铟(InP)与硅光子学并非竞争关系,而是互补性技术平台。通过将磷化铟在有源器件性能上的优势,与硅光子学在集成密度及成本效益上的优势相结合,行业有望加速研发更紧凑、更节能且具备可扩展性的光通信系统。
展望未来,K-H Huang博士表示泽达半导体将通过持续创新推动高速磷化铟(InP)基光子芯片的技术进步。公司将重点聚焦数据中心通信、相干传输及AI智算三大核心领域,致力于为中国光纤通信产业的高质量发展提供支撑。
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